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          咨詢(xún)熱線(xiàn)

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          當前位置:首頁(yè)  >  產(chǎn)品展示  >  太赫茲系統  >  太赫茲透鏡/窗片/晶體  >  THZ-GASE-10-10-1GaSe(硒化鎵)晶體

          GaSe(硒化鎵)晶體

          簡(jiǎn)要描述:太赫茲碲化鋅晶體 20x20x0.5mm
          GaSe(硒化鎵)晶體的太赫茲振蕩能達到有非常寬的頻域,至41THz。GaSe是負單軸層狀半導體晶體,擁有六邊形結構的62m空間點(diǎn)群,300K時(shí)禁帶寬度為2.2eV。GaSe晶體抗損傷閾值高,非線(xiàn)性系數大(54pm/V),非常合適的透明范圍,以及超低的吸收系數,這使其成為中紅外寬帶電磁波振蕩的非常重要的解決方案。

          • 產(chǎn)品型號:THZ-GASE-10-10-1
          • 廠(chǎng)商性質(zhì):經(jīng)銷(xiāo)商
          • 更新時(shí)間:2022-03-30
          • 訪(fǎng)  問(wèn)  量:670

          詳細介紹

          品牌其他品牌產(chǎn)地類(lèi)別進(jìn)口
          應用領(lǐng)域醫療衛生,環(huán)保,化工,生物產(chǎn)業(yè),能源晶體規格10 x 10 x 1mm

          太赫茲碲化鋅晶體 20x20x0.5mm


          GaSe(硒化鎵)晶體的太赫茲振蕩能達到有非常寬的頻域,至41THz。GaSe是負單軸層狀半導體晶體,擁有六邊形結構的62m空間點(diǎn)群,300K時(shí)禁帶寬度為2.2eV。GaSe晶體抗損傷閾值高,非線(xiàn)性系數大(54pm/V),非常合適的透明范圍,以及超低的吸收系數,這使其成為中紅外寬帶電磁波振蕩的非常重要的解決方案。因寬帶太赫茲振蕩和探測使用的是低于20飛秒的激光光源,GaSe發(fā)射-探測系統能獲得與ZnTe可比的甚至更好的結果。通過(guò)對GaSe晶體厚度的選取,我們可以實(shí)現對THz波的頻率可選擇性控制。

          注:GaSe晶體的解理面為(001),因此對該晶體使用的一個(gè)很大限制在于質(zhì)軟,易碎。



          晶體規格
          10 x 10 x 1mm 
          技術(shù)參數

          GaSe晶體的透過(guò)率曲線(xiàn)

          thz1.jpg

          實(shí)驗室光路系統

          thz2.png


          EOS測量及反演結果

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          產(chǎn)品特點(diǎn)

          ● 太赫茲振蕩能達到有非常寬的頻域

          ● 抗損傷閾值高

          ● 非線(xiàn)性系數大

          ● CO2激光的SHG

          ● 多種尺寸可選

          ● 客戶(hù)導向的解決方案

          ● 接受客戶(hù)定制服務(wù)


          產(chǎn)品應用

          ● 太赫茲時(shí)域系統

          ● 太赫茲源晶體

          ● 中遠紅外氣體探測

          ●  CO2激光的SHG

          ● THZ實(shí)驗光源

          ● 太赫茲成像


          產(chǎn)品咨詢(xún)

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